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BSP316PH6327XTSA1现货价格
BSP316PH6327XTSA1现货价格
产品分类
半导体与光电子
分立式半导体
晶体管
MOSFET
BSP316PH6327XTSA1
图片仅供参考,产品以实物为准
厂商型号
BSP316PH6327XTSA1
产品描述
MOSFET SIPMOS Sm-Signal 1.8Ohm -100V -680mA
内部编号
173-BSP316PH6327XTSA1
生产厂商
Infineon Technologies AG
库存信息
产品规格
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全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式
全面支持货到付款
VIP客户月结
BSP316PH6327XTSA1产品详细规格
规格书
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
晶体管极性
P-Channel
源极击穿电压
+/- 20 V
连续漏极电流
- 0.68 A
系列
BSP316
封装/外壳
PG-SOT-223
RDS(ON)
1.4 Ohms
封装
Reel
功率耗散
1.8 W
最低工作温度
- 55 C
正向跨导 - 闵
0.5 S
栅极电荷Qg
- 5.1 nC
典型关闭延迟时间
67.4 ns
零件号别名
SP001058754
上升时间
7.5 ns
最高工作温度
+ 150 C
漏源击穿电压
- 100 V
RoHS
RoHS Compliant
下降时间
25.9 ns
工厂包装数量
1000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
- 100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
- 2 V
宽度
3.5 mm
Qg - Gate Charge
- 6.4 nC
Vgs - Gate-Source Voltage
+/- 20 V
品牌
Infineon Technologies
通道数
1 Channel
晶体管类型
1 P-Channel
Id - Continuous Drain Current
- 680 mA
长度
6.5 mm
Rds On - Drain-Source Resistance
1.4 Ohms
通道模式
Enhancement
身高
1.6 mm
典型导通延迟时间
4.7 ns
Pd - Power Dissipation
1.8 W
技术
Si
BSP316PH6327XTSA1系列产品
型号
厂家
产品描述
BSP316P L6327
Infineon Technologies
MOSFET SIPMOS Sm-Signal TRANSISTOR
BSP316PE6327
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
BSP316PE6327NT
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP316PE6327T
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223
BSP316PL6327
infineon technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
BSP316PL6327HTSA1
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET P-CH 100V 0.68A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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